P型GaN和AlGaN外延材料的制备

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	P型GaN和AlGaN外延材料的制备
	刘祥林; 王成新; 韩培德; 陆大成; 王晓晖; 汪度; 王良臣
	2000
Source Publication	高技术通讯
Volume	10 Issue:8 Pages:26
Abstract	研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13 Ga0.87N的生长工艺，包括掺杂剂量和热退火条件，对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料，并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家863计划,国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:604794
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18463
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘祥林,王成新,韩培德,等. P型GaN和AlGaN外延材料的制备[J]. 高技术通讯,2000,10(8):26.
APA	刘祥林.,王成新.,韩培德.,陆大成.,王晓晖.,...&王良臣.(2000).P型GaN和AlGaN外延材料的制备.高技术通讯,10(8),26.
MLA	刘祥林,et al."P型GaN和AlGaN外延材料的制备".高技术通讯 10.8(2000):26.

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