带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵
	方高瞻; 肖建伟; 马骁宇; 谭满清; 刘宗顺; 刘素平; 冯小明
	2000
Source Publication	高技术通讯
Volume	10 Issue:12 Pages:9
metadata_83	中科院半导体所国家光电技术研究中心
Subject Area	半导体器件
Funding Organization	国家杰出青年基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:604906
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:2[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18461
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	方高瞻,肖建伟,马骁宇,等. 带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵[J]. 高技术通讯,2000,10(12):9.
APA	方高瞻.,肖建伟.,马骁宇.,谭满清.,刘宗顺.,...&冯小明.(2000).带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵.高技术通讯,10(12),9.
MLA	方高瞻,et al."带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵".高技术通讯 10.12(2000):9.

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