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带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵 | |
方高瞻; 肖建伟; 马骁宇; 谭满清; 刘宗顺; 刘素平; 冯小明 | |
2000 | |
Source Publication | 高技术通讯
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Volume | 10Issue:12Pages:9 |
metadata_83 | 中科院半导体所国家光电技术研究中心 |
Subject Area | 半导体器件 |
Funding Organization | 国家杰出青年基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:604906 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics |
Cited Times:2[CSCD]
[CSCD Record]
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Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18461 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 方高瞻,肖建伟,马骁宇,等. 带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵[J]. 高技术通讯,2000,10(12):9. |
APA | 方高瞻.,肖建伟.,马骁宇.,谭满清.,刘宗顺.,...&冯小明.(2000).带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵.高技术通讯,10(12),9. |
MLA | 方高瞻,et al."带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵".高技术通讯 10.12(2000):9. |
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