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半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题 | |
李成基; 李韫言; 王万年; 何宏家 | |
2000 | |
Source Publication | 功能材料与器件学报
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Volume | 6Issue:4Pages:325 |
Abstract | 建立了绝缘电阻大于10~(13)Ω和温度起伏小于0.1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:608048 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18441 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李成基,李韫言,王万年,等. 半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):325. |
APA | 李成基,李韫言,王万年,&何宏家.(2000).半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题.功能材料与器件学报,6(4),325. |
MLA | 李成基,et al."半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题".功能材料与器件学报 6.4(2000):325. |
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