半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题
	李成基; 李韫言; 王万年; 何宏家
	2000
Source Publication	功能材料与器件学报
Volume	6 Issue:4 Pages:325
Abstract	建立了绝缘电阻大于10~(13)Ω和温度起伏小于0.1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响，并讨论了各种因素所引起的测量误差。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:608048
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18441
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	李成基,李韫言,王万年,等. 半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):325.
APA	李成基,李韫言,王万年,&何宏家.(2000).半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题.功能材料与器件学报,6(4),325.
MLA	李成基,et al."半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题".功能材料与器件学报 6.4(2000):325.

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