SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题
李成基; 李韫言; 王万年; 何宏家
2000
Source Publication功能材料与器件学报
Volume6Issue:4Pages:325
Abstract建立了绝缘电阻大于10~(13)Ω和温度起伏小于0.1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起的测量误差。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:608048
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18441
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李成基,李韫言,王万年,等. 半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):325.
APA 李成基,李韫言,王万年,&何宏家.(2000).半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题.功能材料与器件学报,6(4),325.
MLA 李成基,et al."半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题".功能材料与器件学报 6.4(2000):325.
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