空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察
	李韫言; 蔚燕华; 李成基
	2000
Source Publication	功能材料与器件学报
Volume	6 Issue:4 Pages:332
Abstract	在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生，经俄歇分析，汽泡表面约有10nm的砷层，它从半绝缘砷化镓内部逸出，导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:608050
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18437
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	李韫言,蔚燕华,李成基. 空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):332.
APA	李韫言,蔚燕华,&李成基.(2000).空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察.功能材料与器件学报,6(4),332.
MLA	李韫言,et al."空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察".功能材料与器件学报 6.4(2000):332.

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