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空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察 | |
李韫言; 蔚燕华; 李成基 | |
2000 | |
Source Publication | 功能材料与器件学报
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Volume | 6Issue:4Pages:332 |
Abstract | 在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生,经俄歇分析,汽泡表面约有10nm的砷层,它从半绝缘砷化镓内部逸出,导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:608050 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18437 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李韫言,蔚燕华,李成基. 空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):332. |
APA | 李韫言,蔚燕华,&李成基.(2000).空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察.功能材料与器件学报,6(4),332. |
MLA | 李韫言,et al."空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察".功能材料与器件学报 6.4(2000):332. |
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