SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性
姚振钰; 贺洪波; 柴春林; 刘志凯; 杨少延; 张建辉; 廖梅勇; 范正修; 秦复光; 王占国; 林兰英
2000
Source Publication功能材料与器件学报
Volume6Issue:4Pages:338
Abstract室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的,XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射,其强度与晶体质量有关。
metadata_83中科院半导体所;中科院上海光学精密机械所薄膜技术中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家863计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:608052
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18433
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
姚振钰,贺洪波,柴春林,等. 在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):338.
APA 姚振钰.,贺洪波.,柴春林.,刘志凯.,杨少延.,...&林兰英.(2000).在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性.功能材料与器件学报,6(4),338.
MLA 姚振钰,et al."在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性".功能材料与器件学报 6.4(2000):338.
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