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热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响 | |
张砚华; 范缇文; 陈延杰; 吴巨; 陈诺夫; 王占国 | |
2000 | |
Source Publication | 功能材料与器件学报
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Volume | 6Issue:4Pages:369 |
Abstract | 利用光致瞬态电流谱(Optical Transient Current Spectrum OTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT_1、LT_2、LT_3,退火后各峰的相对强度变化很大,特别L_(LT1)/I_(LT3)=C由退火前的C>>1到退火后C<<1,退火温度越高,C值越小,这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷As Ga及砷间隙A_(si)相关的Li_1能级浓度的下降,反之,与镓空位V_(Ga)相关的LT_3能级浓度上升。另外经800℃,10min热退火后,在LT_2峰处出现了负瞬态,可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸,非共格砷沉淀与GaAs基体间的结构缺陷造成的。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:608060 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18429 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 张砚华,范缇文,陈延杰,等. 热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):369. |
APA | 张砚华,范缇文,陈延杰,吴巨,陈诺夫,&王占国.(2000).热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响.功能材料与器件学报,6(4),369. |
MLA | 张砚华,et al."热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响".功能材料与器件学报 6.4(2000):369. |
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