SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响
张砚华; 范缇文; 陈延杰; 吴巨; 陈诺夫; 王占国
2000
Source Publication功能材料与器件学报
Volume6Issue:4Pages:369
Abstract利用光致瞬态电流谱(Optical Transient Current Spectrum OTCS)研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT_1、LT_2、LT_3,退火后各峰的相对强度变化很大,特别L_(LT1)/I_(LT3)=C由退火前的C>>1到退火后C<<1,退火温度越高,C值越小,这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷As Ga及砷间隙A_(si)相关的Li_1能级浓度的下降,反之,与镓空位V_(Ga)相关的LT_3能级浓度上升。另外经800℃,10min热退火后,在LT_2峰处出现了负瞬态,可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸,非共格砷沉淀与GaAs基体间的结构缺陷造成的。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:608060
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18429
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张砚华,范缇文,陈延杰,等. 热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):369.
APA 张砚华,范缇文,陈延杰,吴巨,陈诺夫,&王占国.(2000).热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响.功能材料与器件学报,6(4),369.
MLA 张砚华,et al."热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响".功能材料与器件学报 6.4(2000):369.
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