SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
纳米硅薄膜的发光特性研究
刘明; 傅东锋; 何宇亮; 李国华; 韩和相
2001
Source Publication固体电子学研究与进展
Volume21Issue:1Pages:57
Abstract研究了nc-Si:H薄膜的光致发光(PL),分析了晶粒尺寸、温度对发光特性的影响。对发光样品,晶粒尺寸有一上限,其值在4~5nm这间。在10~77K,nc-SiH薄膜的发光强度几乎没有变化;当温度高于77K,发光强度指数式下降。随温度升高,发光峰位有少许红移。讨论了nc-Si:H光致发光机理,用量子限制-发光中心模型对实验现象进行了解释。从载流子的激发、复合两方面讨论了发光过程,认为载流子在晶粒内部激发后,弛豫到晶粒界面的发光中心复合发光。
metadata_83中科院微电子中心;北京航空航天大学;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:611296
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18409
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘明,傅东锋,何宇亮,等. 纳米硅薄膜的发光特性研究[J]. 固体电子学研究与进展,2001,21(1):57.
APA 刘明,傅东锋,何宇亮,李国华,&韩和相.(2001).纳米硅薄膜的发光特性研究.固体电子学研究与进展,21(1),57.
MLA 刘明,et al."纳米硅薄膜的发光特性研究".固体电子学研究与进展 21.1(2001):57.
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