反射率小于10~（-4）的1310nm光电子器件增透膜技术的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	反射率小于10~（-4）的1310nm光电子器件增透膜技术的研究
	谭满清; 茅冬生; 王仲明
	1999
Source Publication	光学学报
Volume	19 Issue:2 Pages:235
Abstract	阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性。介绍了淀积反射率小于10~(-4)的1310nm半导体激光器端面增透膜技术，并对这种技术的优点和两端淀积增透膜后的激光器特性进行了讨论。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:616085
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18399
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	谭满清,茅冬生,王仲明. 反射率小于10~（-4）的1310nm光电子器件增透膜技术的研究[J]. 光学学报,1999,19(2):235.
APA	谭满清,茅冬生,&王仲明.(1999).反射率小于10~（-4）的1310nm光电子器件增透膜技术的研究.光学学报,19(2),235.
MLA	谭满清,et al."反射率小于10~（-4）的1310nm光电子器件增透膜技术的研究".光学学报 19.2(1999):235.

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