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反射率小于10~(-4)的1310nm光电子器件增透膜技术的研究 | |
谭满清; 茅冬生; 王仲明 | |
1999 | |
Source Publication | 光学学报
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Volume | 19Issue:2Pages:235 |
Abstract | 阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性。介绍了淀积反射率小于10~(-4)的1310nm半导体激光器端面增透膜技术,并对这种技术的优点和两端淀积增透膜后的激光器特性进行了讨论。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 光电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:616085 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18399 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 谭满清,茅冬生,王仲明. 反射率小于10~(-4)的1310nm光电子器件增透膜技术的研究[J]. 光学学报,1999,19(2):235. |
APA | 谭满清,茅冬生,&王仲明.(1999).反射率小于10~(-4)的1310nm光电子器件增透膜技术的研究.光学学报,19(2),235. |
MLA | 谭满清,et al."反射率小于10~(-4)的1310nm光电子器件增透膜技术的研究".光学学报 19.2(1999):235. |
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