硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析
	欧海燕; 雷红兵; 杨沁清; 王红杰; 王启明; 胡雄伟
	2001
Source Publication	光学学报
Volume	21 Issue:1 Pages:122
Abstract	从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、Xm内应力和弯曲半径对器件偏振特性的影响,得出结论:小折射率差的正方形波导的双折射系数小; 内应力对双折射的影响比几何参数大;弯曲半径较小时,双折射系数较大,弯曲损耗也较大。
metadata_83	中科院半导体所;国家光电子工艺中心
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:616712
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18395
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	欧海燕,雷红兵,杨沁清,等. 硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析[J]. 光学学报,2001,21(1):122.
APA	欧海燕,雷红兵,杨沁清,王红杰,王启明,&胡雄伟.(2001).硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析.光学学报,21(1),122.
MLA	欧海燕,et al."硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析".光学学报 21.1(2001):122.

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