SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
SOI及GeSi/Si脊形光波导的模式与波导几何结构
魏红振; 余金中; 张小峰; 韩伟华; 刘忠立; 王启明; 史伟; 房昌水
2001
Source Publication光学学报
Volume21Issue:5Pages:556
Abstract用有效折射率方法对SOI(绝缘体上硅)及GeSi/Si脊形光波导的单模条件进行了模拟,与Soref的单模条件进行了比较,将两者与实验结果进行了比较,得到了与实验结果符合得非常好的单模条件。同时对多模波导进行了模拟,得到了波导承载一阶和二阶模的条件。
metadata_83中科院半导体所;山东大学
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:616813
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18391
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
魏红振,余金中,张小峰,等. SOI及GeSi/Si脊形光波导的模式与波导几何结构[J]. 光学学报,2001,21(5):556.
APA 魏红振.,余金中.,张小峰.,韩伟华.,刘忠立.,...&房昌水.(2001).SOI及GeSi/Si脊形光波导的模式与波导几何结构.光学学报,21(5),556.
MLA 魏红振,et al."SOI及GeSi/Si脊形光波导的模式与波导几何结构".光学学报 21.5(2001):556.
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