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| 用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质 | |
| 丁琨; 李国华; 韩和相; 汪兆平 | |
| 1999 | |
| Source Publication | 红外与毫米波学报
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| Volume | 18Issue:6Pages:417 |
| Abstract | 报道了用硅离子注入热氧化生长的SiO_2层后热退火的方法制备纳米硅样品,并在室温下测量了样品的光致发光谱及其退火温度的关系。实验结果表明,在800℃以下退火的样品的发光是由于离子注入而引入SiO_2层的缺陷发光,在900℃以上退火,才观察到纳米硅的发光,在1100℃下退火,纳米硅发光达到最强,纳米硅的发光峰随退火温度升高而红移呈量子尺寸效应。在直角散射配置下,首次观察到纳米硅的特征拉曼散射峰,进一步证实了光致发光谱的结果。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:641249 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18371 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 丁琨,李国华,韩和相,等. 用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质[J]. 红外与毫米波学报,1999,18(6):417. |
| APA | 丁琨,李国华,韩和相,&汪兆平.(1999).用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质.红外与毫米波学报,18(6),417. |
| MLA | 丁琨,et al."用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质".红外与毫米波学报 18.6(1999):417. |
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