SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质
丁琨; 李国华; 韩和相; 汪兆平
1999
Source Publication红外与毫米波学报
Volume18Issue:6Pages:417
Abstract报道了用硅离子注入热氧化生长的SiO_2层后热退火的方法制备纳米硅样品,并在室温下测量了样品的光致发光谱及其退火温度的关系。实验结果表明,在800℃以下退火的样品的发光是由于离子注入而引入SiO_2层的缺陷发光,在900℃以上退火,才观察到纳米硅的发光,在1100℃下退火,纳米硅发光达到最强,纳米硅的发光峰随退火温度升高而红移呈量子尺寸效应。在直角散射配置下,首次观察到纳米硅的特征拉曼散射峰,进一步证实了光致发光谱的结果。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:641249
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18371
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
丁琨,李国华,韩和相,等. 用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质[J]. 红外与毫米波学报,1999,18(6):417.
APA 丁琨,李国华,韩和相,&汪兆平.(1999).用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质.红外与毫米波学报,18(6),417.
MLA 丁琨,et al."用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质".红外与毫米波学报 18.6(1999):417.
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