SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响
王海龙; 朱海军; 李晴; 宁东; 汪辉; 王晓东; 邓元明; 封松林
1999
Source Publication红外与毫米波学报
Volume18Issue:6Pages:423
Abstract研究了较低掺杂浓度对InAs量子点中直接掺杂Si对其发光特性的影响。光致发光谱(PL)的测量表明,与未掺杂样品相比,掺杂样品发光峰稍微蓝移,同时伴随着发光峰谱线明显变窄。该结果表明,在生长InAs层时直接掺杂,有利于形成大小分布更均匀的小量子点。该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有一定的意义。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家攀登计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:641250
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18369
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
王海龙,朱海军,李晴,等. 杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响[J]. 红外与毫米波学报,1999,18(6):423.
APA 王海龙.,朱海军.,李晴.,宁东.,汪辉.,...&封松林.(1999).杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响.红外与毫米波学报,18(6),423.
MLA 王海龙,et al."杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响".红外与毫米波学报 18.6(1999):423.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
5232.pdf(242KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王海龙]'s Articles
[朱海军]'s Articles
[李晴]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王海龙]'s Articles
[朱海军]'s Articles
[李晴]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王海龙]'s Articles
[朱海军]'s Articles
[李晴]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.