SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究
徐仲英; 刘宝利; 李顺峰; 杨辉; 葛惟昆
2000
Source Publication红外与毫米波学报
Volume19Issue:1Pages:11
Abstract用光荧光和时间分辨光谱技术研究了MEB生长立方In_(1-x)Ga_(1-x)N(x=0.150.26)外延材料的稳态和瞬态发光特性。实验表明InGaN发光主要来自局域激子发光,局域化是由合金无序造成的,相应局域化能量为60meV左右。荧光衰退呈现双指数特性,快过程(50ps,12K)是自由激子的快速驰豫引起的,而慢过程(200~270ps,12K)则对应局域激子发光,其荧光寿命随温度缓变反映了激子发光的强局域性质。
metadata_83中科院半导体所;香港科技大学物理系
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家攀登计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:641264
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18367
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
徐仲英,刘宝利,李顺峰,等. 立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究[J]. 红外与毫米波学报,2000,19(1):11.
APA 徐仲英,刘宝利,李顺峰,杨辉,&葛惟昆.(2000).立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究.红外与毫米波学报,19(1),11.
MLA 徐仲英,et al."立方相InGaN的稳态和瞬态光学特性研究".红外与毫米波学报 19.1(2000):11.
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