SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究
陈宜保; 江德生; 王若桢; 郑红军; 孙宝权
2000
Source Publication红外与毫米波学报
Volume19Issue:1Pages:15
Abstract利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态。通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面而形成载流子浓度梯度引起的,通过实验表明SPV是一种对SI-GaAs晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法。
metadata_83中科院半导体所;北京师范大学物理系
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:641265
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18365
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈宜保,江德生,王若桢,等. 半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究[J]. 红外与毫米波学报,2000,19(1):15.
APA 陈宜保,江德生,王若桢,郑红军,&孙宝权.(2000).半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究.红外与毫米波学报,19(1),15.
MLA 陈宜保,et al."半绝缘 GaAs的表面光伏谱研究".红外与毫米波学报 19.1(2000):15.
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