SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善
王海龙; 朱海军; 宁东; 汪辉; 王晓东; 郭忠圣; 封松林
2000
Source Publication红外与毫米波学报
Volume19Issue:3Pages:191
Abstract利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子生长的掺杂Si和Be的GaAs同质结构样品中缺陷的电学特性。发现原子氢辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低,这可解释为生长过程中原子氢对缺陷的原位中和与钝化作用。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家攀登计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:641304
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18359
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王海龙,朱海军,宁东,等. 原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善[J]. 红外与毫米波学报,2000,19(3):191.
APA 王海龙.,朱海军.,宁东.,汪辉.,王晓东.,...&封松林.(2000).原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善.红外与毫米波学报,19(3),191.
MLA 王海龙,et al."原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善".红外与毫米波学报 19.3(2000):191.
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