SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究
王晓光; 常勇; 桂永胜; 褚君浩; 曹昕; 曾一平; 孔梅影
2000
Source Publication红外与毫米波学报
Volume19Issue:5Pages:333
Abstract测量了一系列不同隔离层(spacer)厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管(p-HEMTs)量子阱的变温和变激发功率光致发光谱,详细研究了(el-hh1)和(e2-hh1)两个发光峰之间的动态竞争发光机制,并运用有限差分法自洽求解薛定谔和泊松方程以得出电子限制势、子带能级以及相应的电子包络波函数、子带占据几率和δ掺杂电子转移效率,研究了两个峰的相对积分发光强度随隔离层厚度、阱宽和δ掺杂浓度的变化。
metadata_83中科院上海技术物理所;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家九五计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:641333
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18357
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王晓光,常勇,桂永胜,等. 赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究[J]. 红外与毫米波学报,2000,19(5):333.
APA 王晓光.,常勇.,桂永胜.,褚君浩.,曹昕.,...&孔梅影.(2000).赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究.红外与毫米波学报,19(5),333.
MLA 王晓光,et al."赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究".红外与毫米波学报 19.5(2000):333.
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