SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InAs/GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究
李晴; 徐仲英; 葛惟昆
2000
Source Publication红外与毫米波学报
Volume19Issue:5Pages:343
Abstract用简并激发-探测技术研究了77K温度下InAs/GaAs量子点中载流子快速俘获的弛豫过程。在瞬态反射谱测量中,除观察到与GaAs有关的驰豫过程外(时间常数约为1ps),还观察到一个时间常数为几个至20ps的反射率上升过程。提出了一个物理模型,表明上述上升过程与光致载流子被InAs层快速俘获过程有关,并由此得到载流子的俘获时间,俘获时间随载流子浓度增加而减小。
metadata_83中科院半导体所;香港科技大学物理系
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金,国家973计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:641335
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18355
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李晴,徐仲英,葛惟昆. InAs/GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究[J]. 红外与毫米波学报,2000,19(5):343.
APA 李晴,徐仲英,&葛惟昆.(2000).InAs/GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究.红外与毫米波学报,19(5),343.
MLA 李晴,et al."InAs/GaAs低维结构中载流子快速俘获过程的研究".红外与毫米波学报 19.5(2000):343.
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