Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
生长停顿对量子点激光器的影响 | |
汪辉; 王海龙![]() ![]() ![]() | |
2000 | |
Source Publication | 红外与毫米波学报
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Volume | 19Issue:5Pages:347 |
Abstract | 在InAs自组织量子点的GaAs覆盖层中引入生长停顿,将这种量子点结构作激光器的有源区,与不引入生长停顿的量子点激光器进行对比后发现 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Funding Organization | 国家攀登计划,国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:641336 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18353 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 汪辉,王海龙,王晓东,等. 生长停顿对量子点激光器的影响[J]. 红外与毫米波学报,2000,19(5):347. |
APA | 汪辉,王海龙,王晓东,牛智川,&封松林.(2000).生长停顿对量子点激光器的影响.红外与毫米波学报,19(5),347. |
MLA | 汪辉,et al."生长停顿对量子点激光器的影响".红外与毫米波学报 19.5(2000):347. |
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