生长停顿对量子点激光器的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	生长停顿对量子点激光器的影响
	汪辉; 王海龙; 王晓东; 牛智川; 封松林
	2000
Source Publication	红外与毫米波学报
Volume	19 Issue:5 Pages:347
Abstract	在InAs自组织量子点的GaAs覆盖层中引入生长停顿，将这种量子点结构作激光器的有源区，与不引入生长停顿的量子点激光器进行对比后发现
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家攀登计划,国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:641336
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18353
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	汪辉,王海龙,王晓东,等. 生长停顿对量子点激光器的影响[J]. 红外与毫米波学报,2000,19(5):347.
APA	汪辉,王海龙,王晓东,牛智川,&封松林.(2000).生长停顿对量子点激光器的影响.红外与毫米波学报,19(5),347.
MLA	汪辉,et al."生长停顿对量子点激光器的影响".红外与毫米波学报 19.5(2000):347.

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