SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
自组装InAs/GaAs量子点材料和量子点激光器
王占国; 刘峰奇; 梁基本; 徐波
2000
Source Publication中国科学. A辑,数学
Volume30Issue:7Pages:644
Abstract利用分子束外延技术和Stranski-Krastanow生长模式,系统研究In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs,In(Ga)As/InAlAs/InP材料体系应变自组装量子点的形成和演化。通过调节实验条件,可以对量子点的空间排列及有序性进行控制,并实现了InP衬底上量子点向量子线的渡越。研制出激射波长λ=960nm,条宽100μm,腔长800μm的InAs/GaAs量子点激光器,室温连续输出功率大于1W,室温阈值电流密度218A/cm~2,0.53W室温连续工作寿命超过3000h。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:652726
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18333
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王占国,刘峰奇,梁基本,等. 自组装InAs/GaAs量子点材料和量子点激光器[J]. 中国科学. A辑,数学,2000,30(7):644.
APA 王占国,刘峰奇,梁基本,&徐波.(2000).自组装InAs/GaAs量子点材料和量子点激光器.中国科学. A辑,数学,30(7),644.
MLA 王占国,et al."自组装InAs/GaAs量子点材料和量子点激光器".中国科学. A辑,数学 30.7(2000):644.
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