SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相
渠波; 李顺峰; 胡国新; 郑新和; 王玉田; 林世鸣; 杨辉; 梁骏吾
2001
Source Publication中国科学. A辑, 数学
Volume31Issue:6Pages:562
Abstract利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)技术研究了低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)的立方相GaN/GaAs(001)外延层的表面起伏特征,及其与外延层极性和内部六角相、立方相微孪晶之间的联系。结果表明外延表面存在有大量沿[1-10]方向延伸的条带状台阶,而表面起伏处对应着高密度的六角相或立方相微孪晶,在表面平整的区域内其密度则较低。{111}_(Ga)和{111}_N面上形成六角相和微孪晶概率的明显差异是导致外延层表面台阶状起伏特征的根本原因。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家杰出青年基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:652865
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18327
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
渠波,李顺峰,胡国新,等. 立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相[J]. 中国科学. A辑, 数学,2001,31(6):562.
APA 渠波.,李顺峰.,胡国新.,郑新和.,王玉田.,...&梁骏吾.(2001).立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相.中国科学. A辑, 数学,31(6),562.
MLA 渠波,et al."立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相".中国科学. A辑, 数学 31.6(2001):562.
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