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| GaN蓝光材料新型ZnO/Si外延衬底的溅射沉积 | |
| 贺洪波; 范正修; 姚振钰; 汤兆胜 | |
| 2000 | |
| Source Publication | 中国科学. E辑，技术科学
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| Volume | 30Issue:2Pages:127 |
| Abstract | 采用常规磁控溅射方法，通过优化工艺，在Si(100),Si(111)多种基片上沉积ZnO薄膜。利用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和X射线摇摆曲线(XRC)，对ZnO薄膜的微区形貌、结晶情况、C轴择优取向进行了详细的测试分析。结果表明，所制备的ZnO薄膜具有理想的结构特性，大多数样品测得ZnO(002)晶面XRC的半高宽(FWHM)1°左右，最小值达0.353°，优于目前国内外同类研究的最佳结果2°。并对ZnO/Si(100)与ZnO/Si(111)衬底的结果进行了比较和讨论。 |
| metadata_83 | 中科院上海光学精密机械所;中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家863计划 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:655419 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18325 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 贺洪波,范正修,姚振钰,等. GaN蓝光材料新型ZnO/Si外延衬底的溅射沉积[J]. 中国科学. E辑，技术科学,2000,30(2):127. |
| APA | 贺洪波,范正修,姚振钰,&汤兆胜.(2000).GaN蓝光材料新型ZnO/Si外延衬底的溅射沉积.中国科学. E辑，技术科学,30(2),127. |
| MLA | 贺洪波,et al."GaN蓝光材料新型ZnO/Si外延衬底的溅射沉积".中国科学. E辑，技术科学 30.2(2000):127. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 5210.pdf（960KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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