InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
	徐遵图; 徐俊英; 杨国文; 张敬明; 陈昌华; 陈良惠; 沈光地
	1999
Source Publication	中国激光
Volume	26 Issue:5 Pages:390
Abstract	优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140mW，激射波长为980nm的脊形波导应变量子阱激光器，其微分量子效率为0.8W/A，垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。
metadata_83	中科院半导体所国家光电子工艺中心;北京工业大学
Subject Area	光电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:660282
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18315
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	徐遵图,徐俊英,杨国文,等. InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器[J]. 中国激光,1999,26(5):390.
APA	徐遵图.,徐俊英.,杨国文.,张敬明.,陈昌华.,...&沈光地.(1999).InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.中国激光,26(5),390.
MLA	徐遵图,et al."InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器".中国激光 26.5(1999):390.

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