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InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器 | |
徐遵图; 徐俊英; 杨国文; 张敬明; 陈昌华; 陈良惠![]() | |
1999 | |
Source Publication | 中国激光
![]() |
Volume | 26Issue:5Pages:390 |
Abstract | 优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角,又能降低腔面光功率密度的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变层量子阱激光器,并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于140mW,激射波长为980nm的脊形波导应变量子阱激光器,其微分量子效率为0.8W/A,垂直和平行结平面方向远场发散角分别为28°和6.8°。 |
metadata_83 | 中科院半导体所国家光电子工艺中心;北京工业大学 |
Subject Area | 光电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:660282 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18315 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 徐遵图,徐俊英,杨国文,等. InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器[J]. 中国激光,1999,26(5):390. |
APA | 徐遵图.,徐俊英.,杨国文.,张敬明.,陈昌华.,...&沈光地.(1999).InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.中国激光,26(5),390. |
MLA | 徐遵图,et al."InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器".中国激光 26.5(1999):390. |
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