SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器
刘国利; 王圩; 许国阳; 陈娓兮; 张佰君; 周帆; 张静媛; 汪孝杰; 朱洪亮
2001
Source Publication中国激光
Volume28Issue:4Pages:321
Abstract报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为26mA,最大光功率可达9mW,消光比可达16dB。减小端面的光反馈后,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化,调制器部分的电容为1.5pF,初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化,可应用在2.5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。
metadata_83中科院半导体所国家光电子工艺中心
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家863计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:660759
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18307
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘国利,王圩,许国阳,等. 选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器[J]. 中国激光,2001,28(4):321.
APA 刘国利.,王圩.,许国阳.,陈娓兮.,张佰君.,...&朱洪亮.(2001).选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器.中国激光,28(4),321.
MLA 刘国利,et al."选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器".中国激光 28.4(2001):321.
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