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| 选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器 | |
刘国利; 王圩 ; 许国阳; 陈娓兮; 张佰君; 周帆; 张静媛; 汪孝杰; 朱洪亮
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| 2001 | |
| Source Publication | 中国激光
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| Volume | 28Issue:4Pages:321 |
| Abstract | 报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为26mA，最大光功率可达9mW，消光比可达16dB。减小端面的光反馈后，从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化，调制器部分的电容为1.5pF，初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化，可应用在2.5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所国家光电子工艺中心 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Funding Organization | 国家863计划,国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:660759 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18307 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘国利,王圩,许国阳,等. 选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器[J]. 中国激光,2001,28(4):321. |
| APA | 刘国利.,王圩.,许国阳.,陈娓兮.,张佰君.,...&朱洪亮.(2001).选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器.中国激光,28(4),321. |
| MLA | 刘国利,et al."选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器".中国激光 28.4(2001):321. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 5201.pdf（198KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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