Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器 | |
刘国利; 王圩![]() ![]() | |
2001 | |
Source Publication | 中国激光
![]() |
Volume | 28Issue:4Pages:321 |
Abstract | 报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为26mA,最大光功率可达9mW,消光比可达16dB。减小端面的光反馈后,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化,调制器部分的电容为1.5pF,初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化,可应用在2.5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。 |
metadata_83 | 中科院半导体所国家光电子工艺中心 |
Subject Area | 半导体器件 |
Funding Organization | 国家863计划,国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:660759 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18307 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘国利,王圩,许国阳,等. 选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器[J]. 中国激光,2001,28(4):321. |
APA | 刘国利.,王圩.,许国阳.,陈娓兮.,张佰君.,...&朱洪亮.(2001).选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器.中国激光,28(4),321. |
MLA | 刘国利,et al."选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器".中国激光 28.4(2001):321. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
5201.pdf(198KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment