SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性
王引书; 李晋闽; 王玉田; 孙国胜; 林兰英; 金运范
2000
Source Publication科学通报
Volume45Issue:16Pages:1709
Abstract利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%~1.0%的Si_(1-x)C_x合金,研究了不同注入剂量下Si_(1-x)C_x合金的形成及其在退火过程中的稳定性。如果注入剂量小于引起Si非晶化的剂量,850℃退火后,注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si_(1-x)C_x合金。随着注入C离子剂量的增大,注入产生的损伤增强,容易形成Si_(1-x)C_x合金,但注入的剂量增大到一定程度,Si_(1-x)C_x合金的应变将趋于饱和,即只有部分C原子进入晶格位置形成合金相。Si_(1-x)C_X合金一旦形成,在950℃仍比较稳定,而温度高于1000℃,合金的应力将部分释放。随着合金中C原子浓度的升高,合金的稳定性变差。
metadata_83北京师范大学物理系;中科院半导体所;中科院近代物理所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:691286
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18299
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王引书,李晋闽,王玉田,等. C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性[J]. 科学通报,2000,45(16):1709.
APA 王引书,李晋闽,王玉田,孙国胜,林兰英,&金运范.(2000).C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性.科学通报,45(16),1709.
MLA 王引书,et al."C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性".科学通报 45.16(2000):1709.
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