SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构
于广华; 柴春林; 朱逢吾; 肖纪美
2000
Source Publication科学通报
Volume45Issue:17Pages:1819
Abstract利用磁控反应溅射方法以Ta作为缓冲层制备了Ta/NiO/NiFe/Ta薄膜,磁性分析表明,该结构薄膜的交换耦合场为9.6×10~3A/m,但量所需NiO的实际厚度增加了。采用X射线光电子能谱研究了Ta/NiO/Ta界面,并进行计算机谱图拟合分析。结果表明界面反应是影响层间耦合的一个重要因素。在Ta/NiO界面处发生了反应
metadata_83北京科技大学材料物理系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:691306
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18297
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
于广华,柴春林,朱逢吾,等. Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构[J]. 科学通报,2000,45(17):1819.
APA 于广华,柴春林,朱逢吾,&肖纪美.(2000).Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构.科学通报,45(17),1819.
MLA 于广华,et al."Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构".科学通报 45.17(2000):1819.
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