SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷
廖志君; 林理彬; 黄万霞; 孔梅影
2000
Source Publication四川大学学报. 自然科学版
Volume37Issue:5Pages:715
metadata_83四川大学应用物理系;四川大学物理系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization教育部骨干教师基金,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:729323
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18283
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
廖志君,林理彬,黄万霞,等. 粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷[J]. 四川大学学报. 自然科学版,2000,37(5):715.
APA 廖志君,林理彬,黄万霞,&孔梅影.(2000).粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷.四川大学学报. 自然科学版,37(5),715.
MLA 廖志君,et al."粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷".四川大学学报. 自然科学版 37.5(2000):715.
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