SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究
吕振东; 李晴; 许继宗; 郑宝真; 徐仲英; 葛惟锟
1999
Source Publication物理学报
Volume48Issue:4Pages:744
Abstract介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术,以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果。实验发现,自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns,与InAs层厚度关系不大;激子寿命与温度有一定的关系,但没有明显的实验证据表明与量子点的δ态密度有关;用粒子数混合技术,实验上可直接观察到量子点中载流子在激发态能级的态填充过程。
metadata_83中科院半导体所;香港科技大学物理系
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家攀登计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:782124
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18267
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
吕振东,李晴,许继宗,等. 自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究[J]. 物理学报,1999,48(4):744.
APA 吕振东,李晴,许继宗,郑宝真,徐仲英,&葛惟锟.(1999).自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究.物理学报,48(4),744.
MLA 吕振东,et al."自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究".物理学报 48.4(1999):744.
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