SIN~+GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	SIN~+GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究
	金鹏; 潘士宏; 梁基本
	2000
Source Publication	物理学报
Volume	49 Issue:9 Pages:1821
Abstract	利用傅里叶变换(FT)方法，对Franz-Keldysh振荡(FKO)的理论线性作了详细的数值模拟，并用光调制反射谱(PR)测量了一组本征层(I层)厚度不同的表面-本征层n-型重掺杂层(SIN~+)结构的GaAs样品的FKO.PR谱的FT分析表明，一部分样品的FT谱，包括其实部、虚部和模，与理论线性符合得比较好，由此求出轻空空(LH)和重空穴(HH)的约化质量平方根之比μ_1~(1/2)/(μ_h)~(1/2)对不同样品在0.805-0.816之间，同时也可以求出样品中的内建电场强度F_1，和调制光引起的调制电场δF=F_1-F_2。有一些样品的FT谱实部和虚部与理论线性差别很大，用FT的模仍可以给出有用的信息。
metadata_83	南开大学物理系;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:782711
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18255
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	金鹏,潘士宏,梁基本. SIN~+GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究[J]. 物理学报,2000,49(9):1821.
APA	金鹏,潘士宏,&梁基本.(2000).SIN~+GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究.物理学报,49(9),1821.
MLA	金鹏,et al."SIN~+GaAs结构中的Franz-Keldysh振荡的傅里叶变换研究".物理学报 49.9(2000):1821.

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