SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应
廖梅勇; 张键辉; 秦复光; 刘志凯; 杨少延; 王占国; 李述汤
2000
Source Publication物理学报
Volume49Issue:11Pages:2186
Abstract用质量分离的低能离子束沉积技术得到了非晶碳薄膜,X射线衍射、Raman谱以及俄歇深度谱的线形表明,此种非晶碳膜中镶嵌着金刚石颗粒。碳离子的浅注入是该碳膜SP~3形成的主要机理。从一个侧面说明了化学气相沉积法中偏压预处理增加金刚石成核的主要原因是因为离子轰击效应。
metadata_83中科院半导体所;香港城市大学物理和材料科学系
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:782778
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18253
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
廖梅勇,张键辉,秦复光,等. 质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应[J]. 物理学报,2000,49(11):2186.
APA 廖梅勇.,张键辉.,秦复光.,刘志凯.,杨少延.,...&李述汤.(2000).质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应.物理学报,49(11),2186.
MLA 廖梅勇,et al."质量分离低能离子束沉积碳膜及离子轰击效应".物理学报 49.11(2000):2186.
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