SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征
王引书; 李晋闽; 金运范; 王玉田; 林兰英
2000
Source Publication物理学报
Volume49Issue:11Pages:2210
Abstract室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)%的C原子,利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金,研究了不同注入剂量下Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征,如果注入C原子的浓度小于0.6%,在850-950℃退火过程中,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合,难于形成Si_(1-x)C_x合金相。随注入C原子含量的增加,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si_(1-x)C_x合金,但如果注入C原子的浓度达到1.5%,只有部分C原子参与形成Si_(1-x)C_x合金。升高退火温度,Si_(1-x)C_x合金相基本消失。
metadata_83北京师范大学物理系;中科院半导体所;中科院近代物理所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:782782
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18251
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王引书,李晋闽,金运范,等. 不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征[J]. 物理学报,2000,49(11):2210.
APA 王引书,李晋闽,金运范,王玉田,&林兰英.(2000).不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征.物理学报,49(11),2210.
MLA 王引书,et al."不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征".物理学报 49.11(2000):2210.
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