SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
新型多有源区隧道再生光耦合大功率半导体激光器
廉鹏; 殷涛; 高国; 邹德恕; 陈昌华; 李建军; 沈光地; 马骁宇; 陈良惠
2000
Source Publication物理学报
Volume49Issue:12Pages:2374
Abstract针对大功率半导体激光器面临的主要困难,提出并实现了一种隧道再生多有源区耦合大光腔高效大功率半导体激光器机理。该机理能有效地解决光功率密度过高引起的端面灾变性毁坏、热烧毁和光束质量差等大功率激光器存在的主要问题。采用低压金属有机化合物气相淀积方法生长了以碳和硅作为掺杂剂的GaAs隧道结、GaAs/InGaAs应变量子阱有源区和新型多有源区半导体激光器外延结构,并制备了高性能大功率980nm激光器件。三有源区激光器外微分量子效率达2.2,2A驱动电流下单面末镀膜激光输出功率高达2.5W。
metadata_83北京工业大学电子工程系和北京市光电子技术实验室;中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,北京市自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:782812
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18245
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
廉鹏,殷涛,高国,等. 新型多有源区隧道再生光耦合大功率半导体激光器[J]. 物理学报,2000,49(12):2374.
APA 廉鹏.,殷涛.,高国.,邹德恕.,陈昌华.,...&陈良惠.(2000).新型多有源区隧道再生光耦合大功率半导体激光器.物理学报,49(12),2374.
MLA 廉鹏,et al."新型多有源区隧道再生光耦合大功率半导体激光器".物理学报 49.12(2000):2374.
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