(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究
	彭英才; 徐刚毅; 何宇亮; 刘明; 李月霞
	2000
Source Publication	物理学报
Volume	49 Issue:12 Pages:2466
Abstract	采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺，以高H_2稀释的SiH_4作为反应气体源和PH_3作为磷原子的参杂剂，在p型(100)单晶硅C(p)c-Si)衬底上，成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜C(n)nc-Si:H),进而制备了(n)nc-Si;H/(p)c-Si异质结，并在230-420K温度范围内实验研究了该异质结的I-V特性。结果表明，(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结为一典型的突变异质结构，具有良好的温度稳定性和整流特性。正向偏压下，该异质结的电流输运机理为复合－隧穿模型。当正向偏压V_F<0.8V时，电流输运过程由复合机理所支配；而当V_F>1.0V时由隧穿机理决定。反向偏压下，该异质结具有良好的反向击穿持性。
metadata_83	河北大学电子信息工程学院;中科院上海冶金所;南京大学物理系;中科院微电子中心;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:782829
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18243
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	彭英才,徐刚毅,何宇亮,等. (n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究[J]. 物理学报,2000,49(12):2466.
APA	彭英才,徐刚毅,何宇亮,刘明,&李月霞.(2000).(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究.物理学报,49(12),2466.
MLA	彭英才,et al."(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究".物理学报 49.12(2000):2466.

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