SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究
彭英才; 徐刚毅; 何宇亮; 刘明; 李月霞
2000
Source Publication物理学报
Volume49Issue:12Pages:2466
Abstract采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺,以高H_2稀释的SiH_4作为反应气体源和PH_3作为磷原子的参杂剂,在p型(100)单晶硅C(p)c-Si)衬底上,成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜C(n)nc-Si:H),进而制备了(n)nc-Si;H/(p)c-Si异质结,并在230-420K温度范围内实验研究了该异质结的I-V特性。结果表明,(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结为一典型的突变异质结构,具有良好的温度稳定性和整流特性。正向偏压下,该异质结的电流输运机理为复合-隧穿模型。当正向偏压V_F<0.8V时,电流输运过程由复合机理所支配;而当V_F>1.0V时由隧穿机理决定。反向偏压下,该异质结具有良好的反向击穿持性。
metadata_83河北大学电子信息工程学院;中科院上海冶金所;南京大学物理系;中科院微电子中心;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:782829
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18243
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
彭英才,徐刚毅,何宇亮,等. (n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究[J]. 物理学报,2000,49(12):2466.
APA 彭英才,徐刚毅,何宇亮,刘明,&李月霞.(2000).(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究.物理学报,49(12),2466.
MLA 彭英才,et al."(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究".物理学报 49.12(2000):2466.
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