SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响
廖梅勇; 秦复光; 柴春林; 刘志凯; 杨少延; 姚振钰; 王占国
2001
Source Publication物理学报
Volume50Issue:7Pages:1324
Abstract利用质量分离的低能离子束沉积技术,得到了非晶碳膜。所用离子能量为50-200eV,衬底温度从室温到800℃。在沉积的能量范围内,衬底为室温时薄膜为类金刚石,表面非常光滑;而600℃下薄膜主要是石墨成分,表面粗糙。沉积能量大于140eV,800℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管。用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向,离子的浅注入和应用是这种优先取向的主要机理。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:783087
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18237
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
廖梅勇,秦复光,柴春林,等. 离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响[J]. 物理学报,2001,50(7):1324.
APA 廖梅勇.,秦复光.,柴春林.,刘志凯.,杨少延.,...&王占国.(2001).离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响.物理学报,50(7),1324.
MLA 廖梅勇,et al."离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响".物理学报 50.7(2001):1324.
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