SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响
王引书; 李晋闽; 王衍斌; 王玉田; 孙国胜; 林兰英
2001
Source Publication物理学报
Volume50Issue:7Pages:1329
Abstract室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入~(29)Si~+离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金,研究了预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响。如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si_(1-x)C_x合金,预注入形成的损伤有利于合金的形成。随着C离子剂量的增大,注入产生的损伤增强,预注入反而不利于Si_(1-x)C_x合金的形成,但当注入C原子的浓度超过固相外延的溶解度时,预注入的影响可以忽略。退火温度升高到1050℃,无论预注入还是未预注入样品,C含量低的合金相仍然保留,而C含量高的合金相大部分消失。
metadata_83北京师范大学物理系;中科院半导体所;中科院近代物理所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:783088
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18235
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王引书,李晋闽,王衍斌,等. 预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响[J]. 物理学报,2001,50(7):1329.
APA 王引书,李晋闽,王衍斌,王玉田,孙国胜,&林兰英.(2001).预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响.物理学报,50(7),1329.
MLA 王引书,et al."预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响".物理学报 50.7(2001):1329.
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