SiC材料及器件研制的进展

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	SiC材料及器件研制的进展
	李晋闽
	2000
Source Publication	物理
Volume	29 Issue:8 Pages:481
Abstract	作为第三代的半导体材料—SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。文章综述了半导体SiC材料生长及其器件研制的概况。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:783614
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:9[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18223
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	李晋闽. SiC材料及器件研制的进展[J]. 物理,2000,29(8):481.
APA	李晋闽.(2000).SiC材料及器件研制的进展.物理,29(8),481.
MLA	李晋闽."SiC材料及器件研制的进展".物理 29.8(2000):481.

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