SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
半导体材料的华丽家族-氮化镓基材料简介
孙殿照
2001
Source Publication物理
Volume30Issue:7Pages:413
AbstractGaN基氮化物材料已成功地用于制备蓝、绿、紫外光发光器件,日光盲紫外探测器以及高温、大功率微波电子器件。由于该材料具有大的禁带宽度、高的压电和热电系数,它们还有很强的其他应用潜力,诸如做非挥发存储器以及利用压电和热电效应的电子器件等。在20世纪80年代末和90年代初,在GaN基氮化物材料的生长工艺上的突破引发了90年代GaN基器件,特别是光电子和高温、大功率微波器件方面的迅猛发展。文章评述了GaN基氮化物的材料特性、生长技术和相关器件应用。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:783757
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18211
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孙殿照. 半导体材料的华丽家族-氮化镓基材料简介[J]. 物理,2001,30(7):413.
APA 孙殿照.(2001).半导体材料的华丽家族-氮化镓基材料简介.物理,30(7),413.
MLA 孙殿照."半导体材料的华丽家族-氮化镓基材料简介".物理 30.7(2001):413.
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