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| 半导体材料的华丽家族-氮化镓基材料简介 | |
| 孙殿照 | |
| 2001 | |
| Source Publication | 物理
 |
| Volume | 30Issue:7Pages:413 |
| Abstract | GaN基氮化物材料已成功地用于制备蓝、绿、紫外光发光器件，日光盲紫外探测器以及高温、大功率微波电子器件。由于该材料具有大的禁带宽度、高的压电和热电系数，它们还有很强的其他应用潜力，诸如做非挥发存储器以及利用压电和热电效应的电子器件等。在20世纪80年代末和90年代初，在GaN基氮化物材料的生长工艺上的突破引发了90年代GaN基器件，特别是光电子和高温、大功率微波器件方面的迅猛发展。文章评述了GaN基氮化物的材料特性、生长技术和相关器件应用。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:783757 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18211 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孙殿照. 半导体材料的华丽家族-氮化镓基材料简介[J]. 物理,2001,30(7):413. |
| APA | 孙殿照.(2001).半导体材料的华丽家族-氮化镓基材料简介.物理,30(7),413. |
| MLA | 孙殿照."半导体材料的华丽家族-氮化镓基材料简介".物理 30.7(2001):413. |
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