非晶氮化硅薄膜退火前后微结构的XPS研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	非晶氮化硅薄膜退火前后微结构的XPS研究
	岳瑞峰; 王燕; 廖显伯; 王永谦; 刁宏伟; 孔光临
	2000
Source Publication	真空科学与技术学报
Volume	20 Issue:6 Pages:425
metadata_83	清华大学微电子学研究所;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家青年科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:904935
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18171
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	岳瑞峰,王燕,廖显伯,等. 非晶氮化硅薄膜退火前后微结构的XPS研究[J]. 真空科学与技术学报,2000,20(6):425.
APA	岳瑞峰,王燕,廖显伯,王永谦,刁宏伟,&孔光临.(2000).非晶氮化硅薄膜退火前后微结构的XPS研究.真空科学与技术学报,20(6),425.
MLA	岳瑞峰,et al."非晶氮化硅薄膜退火前后微结构的XPS研究".真空科学与技术学报 20.6(2000):425.

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