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离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物 | |
杨君玲; 陈诺夫; 刘志凯; 杨少延![]() | |
2001 | |
Source Publication | 稀有金属
![]() |
Volume | 25Issue:4Pages:289 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家攀登计划,国家973计划 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:923937 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18161 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 杨君玲,陈诺夫,刘志凯,等. 离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物[J]. 稀有金属,2001,25(4):289. |
APA | 杨君玲.,陈诺夫.,刘志凯.,杨少延.,柴春林.,...&何宏家.(2001).离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物.稀有金属,25(4),289. |
MLA | 杨君玲,et al."离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物".稀有金属 25.4(2001):289. |
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