离子束外延生长（Ga,Mn,As）化合物

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	离子束外延生长（Ga,Mn,As）化合物
	杨君玲; 陈诺夫; 刘志凯; 杨少延; 柴春林; 廖梅勇; 何宏家
	2001
Source Publication	稀有金属
Volume	25 Issue:4 Pages:289
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家攀登计划,国家973计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:923937
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18161
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	杨君玲,陈诺夫,刘志凯,等. 离子束外延生长（Ga,Mn,As）化合物[J]. 稀有金属,2001,25(4):289.
APA	杨君玲.,陈诺夫.,刘志凯.,杨少延.,柴春林.,...&何宏家.(2001).离子束外延生长（Ga,Mn,As）化合物.稀有金属,25(4),289.
MLA	杨君玲,et al."离子束外延生长（Ga,Mn,As）化合物".稀有金属 25.4(2001):289.

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