SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
磁性多层膜中SiO_2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响
于广华; 马纪东; 朱逢吾; 柴春林
2002
Source Publication科学通报
Volume47Issue:13Pages:978-980
Abstract磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层。利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO_2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜。采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析,并且对获得的Ta 4f和Si 2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析。结果表明在SiO_2/Ta界面处发生了化学反应
metadata_83北京科技大学材料物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金(批准号:1989 31 ),北京市自然科学基金(批准号:2 12 11)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:947163
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18149
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
于广华,马纪东,朱逢吾,等. 磁性多层膜中SiO_2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响[J]. 科学通报,2002,47(13):978-980.
APA 于广华,马纪东,朱逢吾,&柴春林.(2002).磁性多层膜中SiO_2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响.科学通报,47(13),978-980.
MLA 于广华,et al."磁性多层膜中SiO_2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响".科学通报 47.13(2002):978-980.
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