SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
平顶陡边响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的分析
钟源; 黄永清; 任晓敏; 牛智川; 吴荣汉
2002
Source Publication半导体光电
Volume23Issue:1Pages:8-11
Abstract报道了一种具有平顶陡边响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器。使用数值模拟的方法对这种新型谐振腔增强型(RCE)光电探测器与传统的RCE光电探测器的响应曲线和串扰特性进行了分析和对比,分析了在半导体材料生长时厚度偏差对平顶陡边响应的RCE光电探测器响应曲线的影响,还分析了入射光的入射角和偏振态对平顶陡边响应的RCE光电探测器响应曲线的影响。
metadata_83北京邮电大学光通信中心;中科院半导体所
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(69976 7),国家重点基础研究发展规划项目(G2 366 3)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:954416
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18141
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
钟源,黄永清,任晓敏,等. 平顶陡边响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的分析[J]. 半导体光电,2002,23(1):8-11.
APA 钟源,黄永清,任晓敏,牛智川,&吴荣汉.(2002).平顶陡边响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的分析.半导体光电,23(1),8-11.
MLA 钟源,et al."平顶陡边响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的分析".半导体光电 23.1(2002):8-11.
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