SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子
张瑞英; 董杰; 周帆; 冯志伟; 边静; 王圩
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:4Pages:399-402
Abstract报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积(NSAG-MOCVD)成功生长的InP系材料,并提出在NSAG-MOCVD生长研究中,引入填充因子的必要性,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系。与实验结果作了比较,发现InP的速率增强因子主要取决于掩膜宽度,InGaAsP的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关,同时也依赖于生长厚度,且这种依赖性随掩膜宽度的增加而增加。
metadata_83中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家973计划资助项目(No.G2 683-1)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:955241
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18127
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张瑞英,董杰,周帆,等. 窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子[J]. 半导体学报,2002,23(4):399-402.
APA 张瑞英,董杰,周帆,冯志伟,边静,&王圩.(2002).窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子.半导体学报,23(4),399-402.
MLA 张瑞英,et al."窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子".半导体学报 23.4(2002):399-402.
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