立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长
	冯志宏; 杨辉; 徐大鹏; 赵德刚; 王海; 段俐宏
	2002
Source Publication	半导体学报
Volume	23 Issue:2 Pages:161-164
Abstract	利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光（PL）、扫描电镜（SEM）分析了不同NH_3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响。发现相对高的NH_3流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量。
metadata_83	中国科学院半导体研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:955321
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18119
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	冯志宏,杨辉,徐大鹏,等. 立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长[J]. 半导体学报,2002,23(2):161-164.
APA	冯志宏,杨辉,徐大鹏,赵德刚,王海,&段俐宏.(2002).立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长.半导体学报,23(2),161-164.
MLA	冯志宏,et al."立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长".半导体学报 23.2(2002):161-164.

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