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立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长 | |
冯志宏; 杨辉; 徐大鹏; 赵德刚![]() | |
2002 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 23Issue:2Pages:161-164 |
Abstract | 利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光(PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH_3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响。发现相对高的NH_3流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量。 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:955321 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18119 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 冯志宏,杨辉,徐大鹏,等. 立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长[J]. 半导体学报,2002,23(2):161-164. |
APA | 冯志宏,杨辉,徐大鹏,赵德刚,王海,&段俐宏.(2002).立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长.半导体学报,23(2),161-164. |
MLA | 冯志宏,et al."立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长".半导体学报 23.2(2002):161-164. |
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