SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用
王启元; 林兰英; 王建华; 邓惠芳; 谭利文; 王俊; 蔡田海; 郁元桓
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:1Pages:43-48
Abstract对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律。利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨。实验证实NTD氢区熔单晶硅在150 ~ 650 ℃范围内等时退火具有显著特点
metadata_83中科院半导体所材料科学中心
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:955347
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18115
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王启元,林兰英,王建华,等. 单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用[J]. 半导体学报,2002,23(1):43-48.
APA 王启元.,林兰英.,王建华.,邓惠芳.,谭利文.,...&郁元桓.(2002).单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用.半导体学报,23(1),43-48.
MLA 王启元,et al."单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用".半导体学报 23.1(2002):43-48.
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