SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计
毛陆虹; 陈弘达; 吴荣汉; 唐君; 梁琨; 粘华; 郭维廉; 李树荣; 吴霞宛
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:2Pages:193-197
Abstract用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型。通过MOSIS(MOS implementation support project)0.35 μm COMS工艺制做了该探测器,实际测试了该器件的频率响应和波长响应,探测器频率响应在1GH以上,峰值波长响应在0.69 μm。
metadata_83中国科学院半导体研究所;天津大学电子与信息工程学院
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:955371
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18111
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
毛陆虹,陈弘达,吴荣汉,等. 与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计[J]. 半导体学报,2002,23(2):193-197.
APA 毛陆虹.,陈弘达.,吴荣汉.,唐君.,梁琨.,...&吴霞宛.(2002).与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计.半导体学报,23(2),193-197.
MLA 毛陆虹,et al."与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计".半导体学报 23.2(2002):193-197.
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