SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较
王荣; 周宏余; 司戈丽; 姚淑德; 张新辉; 郭增良; 翟佐绪; 王勇刚; 朱升云
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:1Pages:49-52
Abstract研究了空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1 * 10~9 ~ 5 * 10~(13) cm~(-2)的变化。实验表明,两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势,背场Si太阳电池性能参数I_(sc)、V_(oc)和P_(max)衰降变化快,辐照注量为2 * 10~(10)cm~(-2)时,P_(max)就已衰降为原值的75%;而GaAs/Ge电池对应相同的衰降辐照注量达8 * 10~(11)cm~(-2), 且其I_(sc)、V_(oc)和P_(max)衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近3 * 10~(12)~(-2)时才迅速下降。背场Si电池和GaAs/Ge电池性能衰降分别与擀子辐照引入的E_v + 0.14eV及E_v + 0.43eV和E_c - 0.41eV深能级有关。
metadata_83北京师范大学;北京师范大学低能核物理研究所;北京大学技术物理系;信息产业部第18研究所;中国科学院半导体研究所;中国原子能科学研究院
Subject Area半导体材料
Funding Organization教育部重点实验室访问学者基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:955373
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18109
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王荣,周宏余,司戈丽,等. 空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较[J]. 半导体学报,2002,23(1):49-52.
APA 王荣.,周宏余.,司戈丽.,姚淑德.,张新辉.,...&朱升云.(2002).空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较.半导体学报,23(1),49-52.
MLA 王荣,et al."空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较".半导体学报 23.1(2002):49-52.
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