SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性
董宏伟; 赵有文; 焦景华; 赵建群; 林兰英
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:1Pages:53-56
Abstract对高温退火非掺磷化铟(InP)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究,非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930 ℃、80h退火均可获得半绝缘材料。但在这两种条件下制备的两种50mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性。纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到10~6Ω·cm和1800cm~2/(V·s);而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达10~7Ω·cm和3000cm~2/(V·s)以上。对这两种半绝缘片和原生掺铁磷化铟半绝缘片的PL-Mapping结果进一步比较表明
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization中国科学院半导体研究所材料中心科研发展基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:955398
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18105
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
董宏伟,赵有文,焦景华,等. 非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性[J]. 半导体学报,2002,23(1):53-56.
APA 董宏伟,赵有文,焦景华,赵建群,&林兰英.(2002).非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性.半导体学报,23(1),53-56.
MLA 董宏伟,et al."非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性".半导体学报 23.1(2002):53-56.
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