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非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性 | |
董宏伟; 赵有文; 焦景华; 赵建群; 林兰英 | |
2002 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 23Issue:1Pages:53-56 |
Abstract | 对高温退火非掺磷化铟(InP)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究,非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930 ℃、80h退火均可获得半绝缘材料。但在这两种条件下制备的两种50mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性。纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到10~6Ω·cm和1800cm~2/(V·s);而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达10~7Ω·cm和3000cm~2/(V·s)以上。对这两种半绝缘片和原生掺铁磷化铟半绝缘片的PL-Mapping结果进一步比较表明 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 中国科学院半导体研究所材料中心科研发展基金资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:955398 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18105 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 董宏伟,赵有文,焦景华,等. 非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性[J]. 半导体学报,2002,23(1):53-56. |
APA | 董宏伟,赵有文,焦景华,赵建群,&林兰英.(2002).非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性.半导体学报,23(1),53-56. |
MLA | 董宏伟,et al."非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性".半导体学报 23.1(2002):53-56. |
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