SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备
黄辉; 黄永清; 任晓敏; 高俊华; 罗丽萍; 马骁宇
2002
Source Publication半导体学报
Volume23Issue:2Pages:208-212
Abstract利用动态掩膜腐蚀技术,研究了HF/CrO_3腐蚀液对各种不同组分的Al_xGa_(1-x)As (x = 0.3, 0.5, 0.65)的腐蚀速率及腐蚀表面形貌。随着HF(48wt%)/CrO_3(33wt%)的体积比由0.01变化到0.138,相应的腐蚀液对Al_(0.8)Ga_(0.2)As/Al_(0.3)Ga_(0.7)As的选择性由179降到8.6;通过调节腐蚀液的选择性,在Al_(0.3)Ga_(0.7)As外延层上制备出了倾角从0.32°到6.61°的各种斜面。当HF(48wt%)/CrO_3(33wt%)的体积比为0.028时,Al组分分别为0.3、0.5和0.65时,相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为1.8、9.1和19.3nm。另外,还分析了腐蚀机理与腐蚀表面形貌之间的关系。
metadata_83北京邮电大学;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家杰出青年基金(批准号:696251 1),国家自然基金(批准号:69976 7)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:955399
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18103
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
黄辉,黄永清,任晓敏,等. HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备[J]. 半导体学报,2002,23(2):208-212.
APA 黄辉,黄永清,任晓敏,高俊华,罗丽萍,&马骁宇.(2002).HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备.半导体学报,23(2),208-212.
MLA 黄辉,et al."HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备".半导体学报 23.2(2002):208-212.
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