CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验
	刘新宇; 刘运龙; 孙海锋; 吴德馨; 和致经; 刘忠立
	2002
Source Publication	半导体学报
Volume	23 Issue:2 Pages:213-216
Abstract	研究了CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能。CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器采用1K * 4的并行结构体纱，其地址取数时间为30ns，芯片尺寸为3.6mm * 3.84mm；在工作电压为3V时，CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器抗总剂量高达5 * 10~5R(Si)，能较好地满足军用和航天领域的要求。
metadata_83	中国科学院微电子中心;中国科学院半导体研究所
Subject Area	微电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:955409
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18097
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘新宇,刘运龙,孙海锋,等. CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验[J]. 半导体学报,2002,23(2):213-216.
APA	刘新宇,刘运龙,孙海锋,吴德馨,和致经,&刘忠立.(2002).CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验.半导体学报,23(2),213-216.
MLA	刘新宇,et al."CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验".半导体学报 23.2(2002):213-216.

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