SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究
周江峰; 王建朝; 李昌义; 潘华勇; 冯孙齐; 俞大鹏
2002
Source Publication材料科学与工艺
Volume10Issue:1Pages:11-13
Abstract报道了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓微米晶须及纳米线的最新结果。利用镍、甸及其化合物等做催化剂,将金属镓放置在氨气中1000 ℃左右进行反应,结果在衬底上获得了大量的氮化镓微米晶须,及纳米线。许多晶须还通过自组装形成了非常奇特的梯子状的形貌。研究还发现,大部分氮化镓微米晶须的择优生长方向为<0001>方向(c轴方向)。X射线衍射谱揭示,反应产物为非常纯的氮化镓晶体,而低温光致发光谱分析则发现,氮化镓微米晶须在520 nm处有一个杂质发光峰。这一研究结果有助于了解氮化镓晶体的生长机理,并可望应用于微米、纳米蓝光发光二极管等器件。
metadata_83北京大学;中国科学院北京半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家杰出青年科学基金(5 252 6)资助项目,国家自然科学基金(19834 8 )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:959199
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18089
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周江峰,王建朝,李昌义,等. 氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究[J]. 材料科学与工艺,2002,10(1):11-13.
APA 周江峰,王建朝,李昌义,潘华勇,冯孙齐,&俞大鹏.(2002).氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究.材料科学与工艺,10(1),11-13.
MLA 周江峰,et al."氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究".材料科学与工艺 10.1(2002):11-13.
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